摘要
本文采用第一性原理方法计算了四种不同g-C3N4/WS2异质结的超晶胞结构、功函数、能带结构、态密度和吸收光谱,研究了不同缺陷对g-C3N4/WS2异质结的电子结构和光催化性能的影响.发现g-C3N4/WS2、g-C3N4/WS2-V1N、g-C3N4/WS2-V1N1C、g-C3N4/WS2-V1N2C均能形成稳定的异质结,g-C3N4/WS2-V1N1C和g-C3N4/WS2-V1N2C可以有效降低光生电子空穴对的复合率,且g-C3N4/WS2-V1N2C在可见光区吸收能力显著增强,提升了光催化效率.
-
单位湖北文理学院