新型hollandite结构化合物BiIr4Se8单晶的生长,结构与基本物性研究(英文)

作者：骆磊; 葛敏; 杨军; 龚吉祥; 皮雳

来源：低温物理学报, 2018, 40(02): 40-45.

DOI：10.13380/j.cnki.chin.j.lowtemp.phys.2018.02.008

• 晶体生长
• hollandite结构
• 一维通道
• 铱化物

通过助溶剂法制得新型单晶BiIr4Se8.能量色散X射线谱确定样品元素比例约为Bi:Ir:Se≈1:4:8.利用粉末与单晶X射线衍射技术确定了单晶属于单斜晶系,具有扭曲的hollandite结构,其中的一维通道被Bi原子占据.300K以下的电阻与磁化率测试表明,样品属于半导体,且表现抗磁性.Bi在一维通道的无序暗示该材料是一种潜在的热电材料.这种结构容易受掺杂与压力的影响,为进一步探索5d过渡金属化合物中复杂的物理现象提供了良好的平台.

• 单位
  中国科学技术大学; 中国科学院