高可靠性的读写分离14T存储单元设计

作者：张景波; 朱亚男; 彭春雨^*; 赵强

来源：电子与封装, 2022, 22(01): 49-55.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0110

• 静态随机存储器
• 高可靠性
• 读写分离
• 单粒子效应

为了提高航空航天设备的可靠性和运行速度,提出了一种新型读写分离的14T静态随机存储器(SRAM)单元。基于65 nm体硅CMOS工艺,对读写分离14T存储单元的性能进行仿真,并通过在关键节点注入相应的电流源模拟高能粒子轰击,分析了该单元抗单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)的能力。与传统6T相比,该单元写速度、读静态噪声容限和位线写裕度分别提升了约5.1%、20.7%和36.1%。写速度优于其他存储单元,读噪声容限优于6T单元和双联锁存储单元(DICE),在具有较好的抗SEU能力的同时,提高了读写速度和读静态噪声容限。

• 单位
  工业和信息化部; 安徽大学