二硫化钼(MoS2)的光电子性质与其层数密切相关,少层MoS2因其潜在的应用前景而得到了广泛的研究。本文采用化学气相沉积(CVD)法成功制备了单层高质量的MoS2样品,分别用光学显微镜、拉曼光谱、PL光谱对其表面形貌和光电性能进行了表征,重点探讨了生长时间对MoS2样品的生长及其光电性能的影响。结果表明,通过控制生长时间能有效调控MoS2的形貌和光电性能,单层MoS2的最佳生长时间为25 min。
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