本发明公开了一种阻挡层及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。本发明的阻挡层为有机硅烷自组装单层膜。本发明的薄膜晶体管包括栅电极、栅介质层、有源层和源-漏电极层,还包括设置在有源层和源-漏电极层之间的本发明的阻挡层。本发明采用有机硅烷自组装单层膜作为有源层和源-漏电极层之间的阻挡层,可以有效降低源-漏电极层的接触电阻,并能够阻挡源-漏电极层中的成分在高温或外加电场的作用下向有源层和栅介质层扩散,与未设置阻挡层的TFT相比,得到的TFT的电学性能和良率均显著提升。
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