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摘要
本发明公开了基于单片异质集成的Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管,主要解决现有Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管不能单片集成的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、Si有源层(4),该AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽,用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气隔离；Si有源层(4)印制到隔离槽一侧的AlGaN势垒层(3)的上面,形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明增强了器件的可靠性,缩小了微系统的体积尺寸,提高了芯片集成度,可用于电源转换器、反相器进行电源控制与转换的场景。
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