TFT光刻平面补偿优化

作者：张玉虎; 徐海涛; 李亚文; 罗传文; 曹少波; 李力

来源：光电工程, 2019, 46(05): 54-62.

• TFT
• 光刻平面
• 优化补偿
• 平面拟合

TFT线宽或线间距接近光刻机分辨率时,光刻图形容易产生光刻胶残留不良,为改善该问题,本文从光刻图形出发,以最佳光刻图形所在位置为基准,计算出光刻机光刻平面的优化补偿量,从而实现对光刻平面的补偿优化。首先,通过光刻机光刻平面的补偿量、基板载台平坦度及焦平面计算出光刻时光刻区域基板表面的高度值。然后,根据光刻区域内光刻图形状况找到最佳光刻区域位置,并以该位置为零点,计算出整个光刻区域相对于该位置的相对高度差值。其次,对光刻区域内的高度差值做平面拟合,计算出当拟合平面为垂直于Z轴的水平面时所需要的补偿量,该补偿量即为光刻区域内光刻平面的优化补偿量。最后,以该补偿量对光刻平面进行补偿,从而使得光刻区域内光刻平面均趋于同一最佳光刻面。结果表明:光刻平面优化补偿后,光刻区域内光刻图形均能形成清晰的图形,光刻胶残留不良得到改善,同时光刻DICD均值在目标值范围内减小了1.38%,DICD均一性提高了20%。

• 单位
  合肥京东方光电科技有限公司