复合陷光织构膜对光面晶体硅电池光电特性的影响

作者：彭海烽; 许志龙^*; 洪永强; 杨星; 李煌

来源：微纳电子技术, 2020, 57(01): 22-28.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.01.004

• 反射损失
• 转换效率
• 陷光织构膜
• 光线追迹
• 复合电池

针对晶体硅表面织构化抵消部分减反射增益的问题,在光面晶体硅电池表面复合三棱锥陷光织构膜来降低其反射损失,同时保留其光生伏特效应较高的优点。分析陷光膜的陷光机理,并通过光线追迹优化陷光膜表面三棱锥结构的几何参数。运用光学仿真与实验对比分析全波长内光面晶体硅电池、绒面晶体硅电池和复合陷光织构膜的光面晶体硅电池光学特性差异,采用加权计算方法定量评价3种晶体硅电池在全波长内的反射损失。实验分析表明,陷光膜可显著降低光面晶体硅电池反射损失,最终复合电池实测加权反射率为6.57%,比光面晶体硅电池和绒面晶体硅电池的加权反射率分别降低8.57%和1.65%;复合电池的光电转换效率达20.34%,比光面晶体硅电池和绒面晶体硅电池分别提高2.33%和1.18%。

• 单位
  厦门大学; 集美大学