碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展

作者：郝斐; 曹鹏飞; 杨海燕; 吴卿

来源：红外, 2021, 42(02): 15-28.

• 碲镉汞
• Hg空位掺杂
• Au掺杂
• As掺杂

碲镉汞材料是制造红外探测器的基础,高性能红外探测器对碲镉汞材料的要求越来越高。为了提升器件性能,必须提高碲镉汞材料的电学性能。而掺杂是一个很好的选择。碲镉汞材料掺杂可以分为n型和p型两种。对于n型掺杂来说,In是一种理想的掺杂剂,其掺杂研究目前已比较成熟。相对而言,p型掺杂研究还不是那么深入。Hg空位、Au、As掺杂均为碲镉汞材料中常见的p型掺杂手段。通过分析和总结近些年的部分相关文献,介绍了碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展。

• 单位
  华北光电技术研究所