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摘要
针对边发射Ⅲ-Ⅴ族激光器与硅波导之间光耦合存在的问题，提出了一种可以在多层硅上氮化硅（SiN-on-Si）波导平台制备的双层五尖端端面耦合器。该耦合器用于1 550 nm激光器和SiN单模波导之间的单片集成。仿真得到结构的总耦合效率为74%,1 dB效率恶化对应的垂直对准容差高达0.41μm,1 dB光学工作带宽>800 nm，器件耦合长度为26μm。设计了一个宽带宽SiN-Si层间绝热耦合器以连接到端面耦合器，激光功率耦合到单模Si波导中的总耦合效率达70.7%。此方法为单片集成激光器在硅基光子学平台上的应用提供了可能性。
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单位电子工程学院; 北京邮电大学
