基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的X波段自混频三倍频器

作者：**畅; 毛小庆; 陈志巍; 喻青; 曹军; 高海军

来源：微电子学, 2020, 50(05): 637-642.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190598

• 三倍频器
• 自混频
• 无源Marchand巴伦
• 倍频器

基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种自混频三倍频器,实现了将X波段信号倍频为Ka波段信号。仿真结果表明,该三倍频器的相对带宽为16%,频率覆盖范围为8.9～10.5 GHz,涵盖了大部分的X波段。当输入信号为0 dBm时,在9.5 GHz频点处的输出功率为-12 dBm。在带宽范围内,谐波抑制比大于15 dBc。采用渐变形电感,提高了电感的Q值,实现了去耦电容接地的无源Marchand巴伦。仿真结果表明,无源巴伦的相对带宽达到120%,幅值平衡度得到了有效提高。该三倍频器具有0.4 V、0.8 V、1 V三个直流偏置,芯片尺寸为1.9 mm×0.67 mm。

• 单位
  杭州电子科技大学