摘要

本综述主要从当前硅(Si)基和下一代碳化硅(SiC)等宽禁带半导体电力电子器件封装应用的角度,论述在芯片封装过程中所用到的绝缘介质材料,并探讨其未来向高导热及耐高温方向发展的研究趋势。

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