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摘要
采用扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)、X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)和电流-电压(current-voltage,Ⅰ-Ⅴ)曲线等测试方法,分析了CdZnTe晶片两步溶液法钝化工艺参数对晶片的表面形貌、表面成分和电学性能的影响。研究发现,两步溶液法的最佳钝化时间为30 min,此时漏电流接近最小。CdZnTe钝化后经100℃、60 min的热处理,金相和SEM显示钝化层表面的形貌更为均匀致密,XPS深度剖析表明化学反应中间产物分解较为完全,TeO2含量增多,Ⅰ-Ⅴ测试显示热处理后漏电流减小较为明显,有效提高了探测器的性能。
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