ZnO薄膜的缺陷研究进展

作者：林益梅; 叶志镇; 陈兰兰; 朱丽萍; 黄靖云

来源：真空科学与技术学报, 2006, (05): 385-391.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2006.05.011

• ZnO薄膜
• 点缺陷
• 位错
• 堆垛层错 ZnO films
• Point defects
• Dislocations
• Stacking faults

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备,VO可能导致ZnO薄膜产生绿光;线缺陷可能成为载流子陷阱中心和复合中心,影响薄膜器件性能;层错会影响薄膜的能带结构从而影响其光电性能。为制备良好可靠的ZnO薄膜从而实现ZnO光电器件,必须研究ZnO薄膜的缺陷特性,文章对此进行了详细阐述.

• 单位
  硅材料国家重点实验室