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摘要
本公开提供了一种基于二维材料异质结的片上红外LED,自下而上依次包括：衬底、第一二维绝缘薄层、第一高电导率二维薄层、N型二维薄层、直接带隙二维薄层、P型二维薄层、第二高电导率二维薄层、第二二维绝缘薄层。本公开不存在晶格失配问题,并且可通过改变有源区薄层的厚度对发光波长进行一定调整,可与硅基光子器件集成；并能增强对有源区载流子的限制,提高辐射效率；同时能够解决硅基片上光互连的光源问题,从而进一步实现片上的光通信。
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本公开提供了一种基于二维材料异质结的片上红外LED,自下而上依次包括：衬底、第一二维绝缘薄层、第一高电导率二维薄层、N型二维薄层、直接带隙二维薄层、P型二维薄层、第二高电导率二维薄层、第二二维绝缘薄层。本公开不存在晶格失配问题,并且可通过改变有源区薄层的厚度对发光波长进行一定调整,可与硅基光子器件集成；并能增强对有源区载流子的限制,提高辐射效率；同时能够解决硅基片上光互连的光源问题,从而进一步实现片上的光通信。
