本实用新型公开了生长在Ti衬底上的InGaN纳米柱,包括生长在Ti衬底上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的InGaN纳米柱。本实用新型采用的Ti衬底价格低廉,有利于降低器件成本；其次,本实用新型采用的Ti衬底导电性能好,可以直接作为器件的电极,无需制备欧姆接触电极,简化了器件工艺。本实用新型的InGaN纳米柱晶体质量好,禁带宽度可调,比表面积大,可实现可见光光谱响应,适用于光电解水产氢。
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