本发明提供一种MOS器件的制作方法及器件。所述方法包括：制备半导体材料层；在所述半导体材料层上的电极区域制作下电极；在所述半导体材料层上的非电极区域制作阻挡介质层；对所述阻挡层进行氧化处理,使得氧化气氛扩散到所述半导体材料层；在所述阻挡层上生长介质层；在所述介质层上制备上电极。本发明可以减少介质层与半导体之间的界面电荷,改善MOS器件的界面特性和可靠性,提高器件工作稳定性和使用寿命。
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