氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用

作者：黄维; 陈之战; 陈博源; 张静玉; 严成锋; 肖兵; 施尔畏

来源：Acta Physica Sinica, 2009, (05): 3443-3447.

• 欧姆接触
• SiC
• 富碳层
• 互扩散 ohmic contact
• silicon carbide
• carbon-enriched layer(CEL)
• mutual diffusion

采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C元素是以非晶态存在.通过研究高温快速退火下元素的互扩散及HF与SiC表层反应机理,发现SiC表面富碳层是这两种方法形成欧姆接触的关键因素.

• 单位
  中国科学院上海硅酸盐研究所; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室; 中国科学院研究生院