V／Sb预合成粉对ZnO-V_2O_5基压敏电阻材料的影响

作者：赵鸣; 王卫民; 张慧君; 高峰; 田长生

来源：稀有金属材料与工程, 2006, 2006, 35(z2)(S2): 224-227.

DOI：10.3321/j.issn:1002-185X.2006.z2.056

• ZnO-V_2O_5压敏电阻
• 二次合成法
• 低温烧结 ZnO-V2O5 varistor ceramic
• two-step fabrication
• low temperature sintering

基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在95℃合成了组织均匀、瓷体相对密度>98％、非线性系数>50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料。Sb以V2O5／Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结。随着预合成粉含量的增加,Sb3 离子对Zn22离子的取代量增加,材料内部VZn n等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性。

• 单位
  西北工业大学; 内蒙古科技大学; 材料科学与工程学院