周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响

作者：季航; 胡睿; 余萍^*

来源：电子元件与材料, 2022, 41(07): 673-679.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1749

• 射频磁控溅射
• 多周期
• (BSZT/BTO)n
• 漏电流密度

为了提高单周期BSZT/BTO薄膜的性能，采用射频磁控溅射技术制备了(BSZT/BTO)n(n=1,2,3,4)多周期异质结构薄膜。通过XRD、SEM和电学性能测试等手段探究周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响。结果表明，随着周期数n的增加，(BSZT/BTO)n薄膜结晶性增强，介电常数增大，介电损耗减小。在1 MHz测试条件下，(BSZT/BTO)4薄膜的介电常数为187,介电损耗仅为0.02,同时薄膜的铁电性略微增加，而漏电流密度降低到了1.16×10-5 A/cm2,这表明(BSZT/BTO)n薄膜周期数增加能有效提高薄膜的微观结构和电学性能。除此之外，还对(BSZT/BTO)4薄膜漏电流密度机制与温度和电场强度的关系进行了研究，从机理上说明了(BSZT/BTO)4薄膜漏电流密度特性。

• 单位
  中国工程物理研究院; 四川大学