分凝对0.80Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3-0.20BaTiO_3铁电单晶电学性能的影响

作者：陈超; 江向平; 林迪; 刘洪; 张钦辉; 罗豪甦

来源：硅酸盐学报, 2009, 37(08): 1322-1327.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2009.08.006

• 铁电单晶
• 分凝
• 介电弛豫
• 压电性能
• 坩埚下降法

采用坩埚下降法生长了尺寸为φ12mm×70mm的0.80Na1/2Bi1/2TiO3–0.20BaTiO3(0.80NBT–0.20BT)无铅铁电单晶。通过X射线荧光分析研究了晶体中的分凝现象。结果表明:该单晶沿其纵向生长方向由顶部至底部,BaTiO3(BT)含量逐渐增加,晶体棒底部BT含量为32.15%(摩尔分数,下同),而顶部BT含量为14.26%。XRD分析表明:室温下晶体棒为四方相钙钛矿结构。随着BT含量增加,室温下晶体[001]方向的介电常数减小,去极化温度升高。位于晶体棒中间部位的晶体样品0.81NBT–0.19BT的压电性能最佳,室温下该样品在[001]方向的电学性能指标分别为:压电系数d33=158pC/N,机电耦合系数kt=0.463。

• 单位
  景德镇陶瓷大学; 材料学院; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室; 中国科学院上海硅酸盐研究所