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摘要
针对纳米级半导体制造工艺中传统测试芯片掩模面积利用率低的问题,提出一种基于模块化单元的可扩展成品率测试结构阵列设计方法.基于45nm CMOS制造工艺分别实现32×32和64×64 2个大规模的测试结构阵列,模块化单元的有效面积利用率达79.31%和70.8%;流片后通过测试数据的分析能够发现通孔缺失、通孔尺寸变大以及大尺寸缺陷导致金属缺失等工艺缺陷问题.试验结果同时表明,该方法将传输门器件和测试结构组合成模块化单元;不仅能够实现对测试结构的四端测量,保证测试结果的正确性,并且能够减小成品率测试芯片的掩模面积.
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