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摘要
直拉单晶硅主要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面。碳的污染可通过形成碳诱导缺陷导致硅晶片退化。因此，本文聚焦硅晶体生长过程，探索碳迁移机制和减少碳污染的方法。坩埚和基座之间的接触反应是一氧化硅和一氧化碳的来源。在熔炼过程中，硅原料中碳元素的积累取决于一氧化碳的反向扩散。有边界的气体流动可以抑制反扩散，并且增加气体流量可以比降低压力更有效地减少熔体中的碳积累。根据碳污染的积累机制，总结了减少碳生成和掺入的策略，比如通过降低一氧化碳生成速率、减少持续时间、增加气体流速、应用碳化硅涂层等减少碳污染。
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