采用sol-gel(溶胶-凝胶)技术在SOI基底上制备了多层组合结构的纳米薄膜(PT/PZT/PTPT/PZT/PT),采取金属键合技术,将薄膜作为敏感元件翻转与另一高热阻抗基底对接键合,然后腐蚀SOI上的底层硅和氧化硅,最终SOI材料上制备出具有锥状森林结构的黑硅作为吸收层得到一种新颖的敏感元件。重点开展高检测性能的薄膜结构和黑硅吸收层的加工工艺及其敏感机理研究,为实现气体传感器微型化、集成化与批量生产奠定技术基础。
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