侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用

作者：刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 吴惠桢

来源：固体电子学研究与进展, 2011, (03): 305-309.

• 侧向腐蚀
• 电流限制孔径
• 垂直腔面发射激光器 lateral etching
• current confinement aperture
• vertical-cavity surface-emitting laser

研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C_6H_8O_7:H_2O_2溶液、HCl:H_3PO_4溶液对InAlAs材料、InP材料进行了侧向腐蚀试验,获得了较稳定的速率,并对其腐蚀机制和晶向选择性进行了分析。采用侧向腐蚀技术制备了电流限制孔径分别为11μm和5μm的1.3μm垂直腔面发射激光器,器件在室温下均连续激射。

• 单位
  上海空间电源研究所; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室