铁电SBN薄膜电光系数的测量及其在波导中的应用

作者：沈智如; 叶辉; 沈伟东; 曹晓燕; 郭冰

来源：光学学报, 2005, (01): 121-125.

• 薄膜光学
• 横向电光系数
• 掺K
• MZ型薄膜波导调制器
• 半波调制电压 thin film optics
• transverse electrooptical coefficient
• K-doped
• Mach-Zehnder type modulator
• half-wave modulation voltage

　利用溶胶凝胶法在MgO(001)衬底上获得C轴择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜,主要介绍MgO(001)衬底上SBN60薄膜及掺入的K离子与Nb离子摩尔比例为1∶3的SBN60薄膜横向电光系数r51的测量,实验测得不掺K的SBN60薄膜r51值为37.6 pm/V,掺K的r51值为58.5 pm/V。并由此设计一种基于MgO(001)衬底上的马赫曾德尔型SBN60薄膜波导调制器,计算出在633 nm时,掺K比例为1∶3的此种波导调制器半波调制电压值为10 V,不掺K的半波电压值为16 V,结果说明掺入K离子能增加薄膜的横向电光系数并有效的减少波导的半波调制电压。

• 单位
  现代光学仪器国家重点实验室; 浙江大学