覆膜对日光温室垄嵌及沟嵌基质栽培根区温度和甜椒幼苗生长的影响

作者：李宝石; 李浩; 王奇; 刘文科; 邵明杰; 周成波

来源：山东农业科学, 2021, 53(06): 33-38.

DOI：10.14083/j.issn.1001-4942.2021.06.006

• 日光温室
• 垄嵌与沟嵌基质栽培
• 甜椒幼苗
• 根区温度
• 株高
• 地膜覆盖

为了探究覆膜对日光温室中垄嵌与沟嵌基质栽培根区温度和甜椒幼苗生长的影响,以土垄栽培(SR)为对照,设置4个垄嵌及沟嵌基质处理进行田间试验。其中处理1为起垄内嵌基质栽培(SSC),其下底宽40 cm,高度10 cm,内嵌槽深10 cm;处理2为不覆膜起垄内嵌基质栽培(SSC-WF);处理3为内嵌槽全嵌入(10 cm)地表面的土壤沟嵌基质栽培(SE),高度为0 cm;处理4为不覆膜土壤沟嵌基质栽培(SE-WF)。结果表明:与SR相比,SSC、SE处理能够提高夜间根区温度均值0.5℃左右;不同月份的最高温与最低温差值的平均值表现结果有所不同,但以SE处理的根区稳定性较强。垄嵌与沟嵌对根区温度的影响表现为:垄嵌基质栽培抗低温能力要优于沟嵌基质栽培,但根区温度稳定性较弱;覆膜处理能够提高根区温度。SSC、SSC-WF和SE处理甜椒幼苗的株高、茎粗和SPAD值显著高于SR,且SSC处理促进幼苗生长的效果最显著;SSC和SE处理的茎粗和SPAD值有显著差异,株高无显著差异。综上所述,覆膜条件下,垄嵌与沟嵌基质栽培能够提高根区温热效应,尤以垄嵌基质栽培更优,同时更利于促进甜椒幼苗的生长。