基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的25Gb/s宽带可变增益放大器

作者：曹庆珊; 郑吴家锐; 李硕; 何进^*

来源：半导体光电, 2021, 42(06): 799-808.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2021072904

• 可变增益放大器
• BiCMOS
• 改进型Gilbert结构
• 电感峰化
• 高速通信

介绍了一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的,可应用于高速通信的25 Gb/s可变增益放大器(VGA)。该放大器由核心电路、输出缓冲器和偏置电路组成,核心电路采用改进型Gilbert结构,增大了电路的增益动态范围;同时采用电感峰化技术克服大寄生电容来实现宽带特性。后仿真结果表明,该可变增益放大器的最大增益为20.15 dB,-3 dB带宽(BW)为26.8 GHz,可支持高达25 Gb/s的数据速率,在3.3 V电源电压下的功耗为26.4 mW,芯片大小为1 120μm×1 167μm。