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摘要
随着科技的发展，集成电路封装的形式和材料面临着巨大挑战。氮化镓（GaN）作为最具潜力的第三代半导体材料，在射频通信领域的应用前景广阔。传统的金属或陶瓷GaN封装制造成本高、工艺复杂、品质控制难，开发环氧树脂封装的GaN射频器件，使之具备高散热性和高可靠性，实现进口产品的同类替代，是当前我国集成电路封测产业的一项重要任务。以一款GaN功率器件双边扁平无引脚封装（Dual Flat Nolead,DFN）为例，介绍GaN器件的封装结构设计、塑封材料选择、封装工艺优化以及封测中常见的问题分析与解决等内容。
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