B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象

作者：闫翠霞; 戴瑛; 刘东红

来源：光散射学报, 2006, (01): 89-94.

DOI：10.13883/j.issn1004-5929.2006.01.017

• B离子注入
• 退火
• 体积膨胀 B ion implantation
• annealing
• volume expansion

离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。本文对B离子注入合成Ib型金刚石薄膜后体积膨胀现象进行了研究,分析了引起体积膨胀的可能因素及原因。

• 单位
  济宁学院; 晶体材料国家重点实验室