MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析(英文)

作者：张晓敏; 王彦杰; 杨子文; 廖辉; 陈伟华; 李丁; 李睿; 杨志坚; 张国义; 胡晓东

来源：半导体学报, 2008, (08): 1475-1478.

• p型GaN
• 自补偿
• 掺杂浓度
• MOCVD

通过优化Mg流量增强了MOCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明空穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到极大值后开始降低;迁移率始终随Mg流量的升高而降低.最优的样品在室温下空穴浓度达到4.1×1017cm-3,电阻率降至1Ω.cm.考虑施主型缺陷MGaVN的自补偿作用,计算了空穴浓度随掺杂浓度变化的曲线关系.计算结果表明自补偿系数随掺杂浓度的增大而增大;空穴浓度首先随掺杂浓度的增大而增加,在受主浓度为NA≈4×1019左右时达到极大值,之后随着掺杂浓度的增大而迅速降低.XRD数据表明在实验范围内晶体缺陷密度随着掺杂浓度的降低而降低.

• 单位
  人工微结构和介观物理国家重点实验室