本发明提供了一种在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料及制法,所述相变材料,包括硅片衬底和生长在所述硅片衬底上的VO2晶体,所述VO2晶体沿垂直于硅衬底方向生长。所述VO2晶体为刺猬状结构,由纳米线定向生成。本发明可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺,适合于集成纳米光电子器件的发展。并具有成本低,生长条件简单,重复性高,安全等优点,适合于大规模工业化生产。
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