摘要
本发明公开了一种低噪声放大器及芯片,其中放大器包括:第一电容和第三电感的连接点与第一电感的一端连接;第一晶体管的源极通过第二电感接地,第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极连接;第一电感和第二电感构成第一变压器;第二晶体管的漏极通过第五电感连接到电源,第二晶体管的漏极与第三晶体管的栅极连接;第三晶体管的源极通过第七电感接地,第三晶体管的漏极通过第八电感与第四晶体管的源极连接;第五电感和第七电感构成第二变压器;第四晶体管的漏极通过第九电感连接到电源;第八电感和第九电感构成第三变压器。本发明基于变压器耦合结构来实现毫米波频段上宽带低噪声放大器,有效减小了电路的面积,可广泛应用于半导体技术领域。
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