高功率窄脉宽半导体激光激励器设计

作者：阎得科; 孙传东; 冯莉; 何浩东; 朱少岚

来源：应用光学, 2011, (01): 165-169.

• 能量压缩技术
• MOSFET高速开关
• 推挽式驱动
• 窄脉冲
• 高功率激光 power compression technology
• fast MOSFET switch
• push-pull driving
• narrow pulse
• high power laser

为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型。为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极驱动方式并设计了触发窄脉冲的发生电路。当激光二极管接入放电回路时,实验表明:激光二极管输出光的峰值功率可达67.5 W,脉宽约为20 ns。最后,简要分析了影响光脉冲宽度的因素。

• 单位
  瞬态光学与光子技术国家重点实验室; 中国科学院西安光学精密机械研究所; 中国科学院研究生院