新型二维SiSe的能带结构与塞贝克系数的第一性原理计算

作者：杨萧玥

来源：电子世界, 2021, (10): 73-74.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2021.10.036

• 塞贝克系数
• 绝对值
• 能带结构
• 热电材料
• 第一性原理计算

<正>能够把热能直接转化成电能的热电材料近几年被广泛研究,我们采用第一性原理计算和玻耳兹曼输运理论研究了一种新型二维Si Se单层在300 K、400 K、500 K三种温度下的塞贝克系数。计算结果表明,当载流子浓度约为106cm-2时,n型SiSe单层的塞贝克系数在500 K下可达1490μV K-1,p型Si Se单层的塞贝克系数可达1576μVK-1,这说明SiSe可能是一种有潜力的热电材料。