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摘要
传统CVT技术成熟,但由于其构造的复杂性,导致体积大、重量大,倘若直接应用在配网一二次融合中,其无法与开关进行深度融合,本文改进了薄膜电容器的设计方案,使其进一步优化并缩小了其体积;提升铁芯饱和点,进一步抑制铁磁谐振的发生。在此基础上提出了一种新型小型化、高可靠性的电容式电压传感器制造方案,实现与10kV断路器的深度融合,在配网一二次融合中具有广大发展空间。
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传统CVT技术成熟,但由于其构造的复杂性,导致体积大、重量大,倘若直接应用在配网一二次融合中,其无法与开关进行深度融合,本文改进了薄膜电容器的设计方案,使其进一步优化并缩小了其体积;提升铁芯饱和点,进一步抑制铁磁谐振的发生。在此基础上提出了一种新型小型化、高可靠性的电容式电压传感器制造方案,实现与10kV断路器的深度融合,在配网一二次融合中具有广大发展空间。
