摘要
随着人们对能源紧缺和环境问题的日益关注,损耗大小成为影响电磁设备设计与优化的重要因素之一。本文以新型磁集成CRT为研究对象,分析与计算其损耗。基于解析法,分析新型磁集成CRT的损耗计算原理,推导其损耗计算公式;基于有限元法,建立新型磁集成CRT的场路耦合有限元模型,对其进行仿真与损耗计算;最后,分析比较二者的损耗计算结果,来说明两种方法计算结果的一致性,并得出结论。本文采用的方法与计算结果对磁集成CRT的结构设计和参数优化具有一定的理论指导意义。
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随着人们对能源紧缺和环境问题的日益关注,损耗大小成为影响电磁设备设计与优化的重要因素之一。本文以新型磁集成CRT为研究对象,分析与计算其损耗。基于解析法,分析新型磁集成CRT的损耗计算原理,推导其损耗计算公式;基于有限元法,建立新型磁集成CRT的场路耦合有限元模型,对其进行仿真与损耗计算;最后,分析比较二者的损耗计算结果,来说明两种方法计算结果的一致性,并得出结论。本文采用的方法与计算结果对磁集成CRT的结构设计和参数优化具有一定的理论指导意义。