科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高压脉冲电源。该发生器采用多只MOSFET的串联技术,形成高压、高重复频率开关组件。用高压开关组件开展脉冲发生器设计,搭建了一个15只1kV的高速MOSFET串联的脉冲发生器实验装置,在500Ω负载上获得前沿小于5ns、幅度大于10kV、脉宽约100ns,瞬态频率达400kHz的高压脉冲。设计的高压开关组件结构紧凑,可靠性高,可应用于多种脉冲发生器。
- 单位
设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高压脉冲电源。该发生器采用多只MOSFET的串联技术,形成高压、高重复频率开关组件。用高压开关组件开展脉冲发生器设计,搭建了一个15只1kV的高速MOSFET串联的脉冲发生器实验装置,在500Ω负载上获得前沿小于5ns、幅度大于10kV、脉宽约100ns,瞬态频率达400kHz的高压脉冲。设计的高压开关组件结构紧凑,可靠性高,可应用于多种脉冲发生器。
