Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较

作者：毕大炜; 张正选; 张帅

来源：功能材料与器件学报, 2010, (03): 271-275.

• SIMOX
• SOI
• 总剂量辐射效应
• Pseudo-MOS晶体管 SIMOX
• total dose radiation effect
• Pseudo-MOS transistor

本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估。

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室