150 nm FDSOI器件的背栅NBTI效应研究

作者：赵杨婧^*; 禹胜林; 赵晓松; 洪根深; 顾祥

来源：固体电子学研究与进展, 2023, 43(06): 552-556.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2023.06.012

• 负偏置温度不稳定性(NBTI)
• 全耗尽型绝缘体上硅
• 背栅偏置
• 正背栅应力耦合

负偏置温度不稳定（NBTI）是器件的主要可靠性问题之一，本文通过对150 nm工艺的FDSOI器件进行加速应力试验，分析了不同栅极偏置应力、温度应力下器件阈值电压和饱和电流的退化特性，发现背栅偏置更容易导致NBTI退化，同时研究了正背栅耦合作用下NBTI效应的退化机理。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所; 南京信息工程大学