C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究

作者：伏春平; 黄浩; 孙凌涛; 夏继宏; 程正富

来源：人工晶体学报, 2019, 48(01): 127-136.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.01.021

• SnO2
• 能带结构
• 态密度

基于第一性原理方法研究了C单掺杂SnO2和C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2的能带结构、态密度以及分电荷分布。结果表明:C掺杂、C-Y、C-Zr共掺杂SnO2的带隙值分别为1. 109 e V、1. 86 e V、1. 214 e V,较超胞结构的带隙值降低,有利于电子的跃迁; C-Y共掺杂SnO2的导带底部有3条杂质能级分离出来,C-Zr共掺杂SnO2的能带价带顶部能级中有3条能级分离出来,其中1条能级贯穿费米能级; C-Y,C-Zr共掺杂SnO2的态密度中在低能区会产生1个态密度峰值,部分态密度的峰值由Y、Zr的d轨道贡献; C-Y、C-Zr共掺杂SnO2会打破SnO2电子平衡状态,致使电荷的重新分布。

• 单位
  重庆文理学院