片上电感集总模型

作者：石艳玲; 李曦; 蔡静; 任铮; 胡少坚; 陈寿面

来源：2011-05-04, 中国, CN201110114087.1.

本发明公开了一种新型片上电感集总模型,所述片上电感集总模型在传统单π电感模型的电感部分接入了并联的R0和L0,表征趋肤效应和邻近效应；在衬底部分接入了并联的Rsub和Csub,表征衬底的电磁损耗。本发明片上电感集总模型与传统单π模型相比,因其同时考虑了趋肤效应和邻近效应及衬底的电磁损耗,在自谐振频率范围内可以更加精确地模拟不同电感结构和不同衬底材料的片上螺旋电感。

• 单位
  华东师范大学; 上海集成电路研发中心有限公司