p-NiO/MQWs/n-GaN异质结器件制备及其特性的研究

作者：项国姣; 高薇; 付宏远; 周毅坚; 彭文博; 赵洋; 王辉

来源：光电子技术, 2020, 40(03): 180-185.

DOI：10.19453/j.cnki.1005-488x.2020.03.006

• NiO
• 量子阱
• 磁控溅射
• 电致发光

采用射频磁控溅射设备以NiO为空穴注入层在MQWs/n-GaN上制备了p-NiO/MQWs/n-GaN异质结发光器件。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计(UV-2700)等测试系统对制备的NiO层结构、形貌及光学特性进行了测试,结果表明NiO薄膜具有较好的结晶质量。对p-NiO/MQWs/n-GaN异质结器件进行了电流-电压(I-V)特性和电致发光(EL)特性测试。I-V特性测试结果显示,器件具有明显的整流特性,开启电压约为2.9 V。EL特性测试结果显示,该器件实现了室温下的蓝紫光发射,结合GaN的光致发光(PL)谱和器件的能带结构图,对器件的电致发光机理进行了深入研究。

• 单位
  河南科技大学