随着通信技术的发展,HEMT器件的栅长变得越来越短,而早期的速度-场经验公式随着栅长的不断减小已不能精确地描述这种变化.通过对现有的速度-场经验公式的计算机模拟仿真,发现其与实测的文献数据之间存在一定的误差,因而提出一种改进的速度-场经验公式,在线性电荷控制模型的基础上,考虑沟道长度调制效应,解析出一种新的高电子迁移率晶体管(HEMT)I-V模型.仿真结果表明,该模型具有较高的精度.
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
