化学添加剂提高钴化学机械抛光性能的研究进展

作者：高鹏程; 檀柏梅^*; 高宝红; 牛新环; 刘孟瑞; 孙晓琴; 刘玉岭

来源：半导体技术, 2020, 45(01): 58-65.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.01.008

• 钴(Co)
• 化学机械抛光(CMP)
• 化学添加剂
• 去除速率选择比
• 电偶腐蚀

钴(Co)具有电阻率低、电子迁移率高、对铜(Cu)等金属的黏附性好以及沉积性能好等优势,在集成电路制程中作为Cu互连阻挡层或新型互连材料具有巨大的应用潜力,而金属互连化学机械抛光(CMP)是决定Co在集成电路应用中可靠性的关键工艺。概述了抛光液中的不同化学添加剂提高Co抛光性能的研究进展,重点介绍了氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂等化学添加剂对Co阻挡层和Co互连CMP的材料去除速率(MRR)、静态腐蚀速率(SER)、去除速率选择比以及电偶腐蚀的影响。讨论了化学添加剂对提高Co抛光性能的作用机理,并分析了加入不同化学添加剂的抛光液的优势与不足。此外,展望了Co阻挡层和互连材料CMP工艺中仍需进一步研究的问题。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学