基于GaAs pHEMT工艺的0.1 GHz～8.0 GHz低噪声放大器

作者：叶乔霞; 陈奇超; 张超; 高海军^*

来源：杭州电子科技大学学报(自然科学版), 2023, 43(05): 30-74.

DOI：10.13954/j.cnki.hdu.2023.05.005

• 砷化镓
• 低噪声放大器
• 共源共栅
• 宽带

基于0.25μm GaAs pHEMT工艺，设计了一款工作频率为0.1 GHz～8.0 GHz的超宽带低噪声放大器，采用单级共源共栅(cascode)结构，使用电阻并联负反馈扩展了低噪声放大器的带宽，并且采用电感中和技术补偿了高频增益与提高频率响应。仿真结果表明：该款低噪声放大器的分数带宽高达195%,噪声系数小于1.32 dB,最高增益为21.2 dB,1 dB压缩点为16 dBm。在砷镓化合物工艺设计的低噪放中，本文拥有195%的分数带宽，较高的增益和较低的噪声系数。

• 单位
  杭州电子科技大学