摘要

<正>据中国经济网2018年7月5日讯,记者从中国科学院获悉:近日,中科院金属研究所孙东明团队联合刘畅团队,研发了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术,首次在世界范围内制备出米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜,并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管(TFT)和集成电路(IC)器件.