直流电弧自催化合成β-SiC纳米线(英文)

作者：王峰; 王秋实; 崔启良; 张剑; 邹广田

来源：无机化学学报, 2009, (06): 1026-1030.

• β-SiC
• 纳米线
• 直流电弧 β-SiC
• nanowires
• direct current arc discharge

采用C,Si和SiO2为反应原料,利用直流电弧法制备出长直的β-SiC纳米线。纳米线的直径为100～200nm,长度为10～20μm,并且沿着<111>方向生长。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微术(SEM)、透射电子显微术(TEM)、拉曼光谱等手段,对β-SiC纳米线进行表征。探讨了β-SiC纳米线自催化气-液-固(VLS)生长机制。

• 单位
  吉林大学; 超硬材料国家重点实验室