科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明涉及基于Ⅱ型范德华异质结近红外偏振光电探测器及其制备方法,其包括衬底,位于衬底上的MoTe-2纳米片和GeSe纳米片,位于MoTe-2纳米片和GeSe纳米片上的第一电极和第二电极,MoTe-2纳米片与GeSe纳米片采用微机械剥离法获得,通过PVA干法转移设置部分层叠区域,部分层叠区域通过范德华力相互作用形成异质结,为载流子沟道层。该光电探测器侧重于近红外波段的探测,在室温下实现了自驱动低损耗探测、快的响应速度、偏振灵敏和性能稳定的特点,该制备方法技术成熟、成本低廉、工艺简单,非常有利于商业化推广。
- 单位
