本发明公开了一种在硅片上复合VO2空心球结构的相变型材料及制备方法,包括硅片衬底和生长在所述衬底表面的VO2晶体,所述的VO2晶体沿垂直于硅衬底方向生长。本发明与现有技术相比,具有成本低,生长条件简单,重复性高等优点,且生成的VO2晶体具有特殊的结构(空心球状)。且本发明采用硅片作为衬底,将VO2空心球结构制备在硅衬底上,可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺,适合于集成纳米光电子器件。本发明的方法,条件温和,生产成本相对较低,产品高重复性,适用于大规模工业生产。
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